高壓加速老化試驗(yàn)箱中UHAST與BHAST的區(qū)別

高度加速的溫度和濕度壓力測(cè)試（HAST）是一個(gè)高度加速，以溫度和濕度為基礎(chǔ)的電子元件可靠性試驗(yàn)方法。HAST高加速老化試驗(yàn)在塑封器件中起到舉足輕重的作用，以溫度和濕度為基礎(chǔ)加速新式集成電路的失效，加快塑封器件的發(fā)展應(yīng)用。

高速老化壽命試驗(yàn)箱

 其中HAST高加速老化試驗(yàn)分為UHAST試驗(yàn)和BHAST試驗(yàn)，這兩者有什么區(qū)別呢？接下來(lái)，科明將為您一一解答。

UHAST和BHAST的區(qū)別：

UHAST試驗(yàn)：指的是溫濕度無(wú)偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試，其用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性，不會(huì)對(duì)器件施加偏壓。

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A118

BHAST試驗(yàn)：指的是溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試，讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。

參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110

UHAST和BHAST的測(cè)試條件：

溫度、濕度、氣壓、測(cè)試時(shí)間--

◎ 130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測(cè)試時(shí)間。

◎ 測(cè)試過(guò)程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫，要保證結(jié)溫不能過(guò) 高，并在測(cè)試過(guò)程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》。

◎ 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿足下表三種關(guān)系時(shí)，特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過(guò) 10℃時(shí)，需考慮周期性的電壓拉偏策略。

◎ 注意測(cè)試起始時(shí)間是從環(huán)境條件達(dá)到規(guī)定條件后開始計(jì)算；結(jié)束時(shí)間為開始降溫降壓操 作的時(shí)間點(diǎn)。

電壓拉偏--

UHAST測(cè)試不帶偏壓， 不需要關(guān)注以下原則；

BHAST需要帶偏壓 ，遵循以下原則：

◎ 所有電源上電，電壓：最大推薦操作范圍電壓。

◎ 芯片、材料功耗最小（數(shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法）。

◎ 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。

◎ 其他管腳，如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低。

 了解了UHAST試驗(yàn)和BHAST試驗(yàn)的區(qū)別后，希望能幫助各位客戶朋友在采購(gòu)高加速應(yīng)力試驗(yàn)設(shè)備時(shí)，選擇更符合試驗(yàn)需求的試驗(yàn)設(shè)備，科明將為各位客戶朋友提供優(yōu)質(zhì)的環(huán)境模擬可靠性試驗(yàn)解決方案。